集成led燈led燈珠1個是多少瓦珠電路的可靠性---芯片級別要求

  靠得住性（Reliability）是對于led燈珠經久力的丈量, 咱們重要典型的ICled燈珠的生命周期可以用一條浴缸曲線（Bathtub Curve）來暗示。

  如上圖示意, 集成電路的掉效緣故原由大抵分為三個階段：

  Region （I） 被稱為早夭期， 這個階段led燈珠的掉效率快速降落，造成掉效的緣故原由在于IC設計以及出產歷程中的缺陷；

  Region （II）被稱為使用期， 這個階段led燈珠的掉效率連結不變，掉效的緣故原由每每是隨機的，好比溫度變化等等；

  Region （III）被稱為磨耗期，這個階段led燈珠的掉效率會快速升高，掉效的緣故原由就是led燈珠的持久使用所釀成的老化等。

兵工級器件老化篩選

元器件壽命實驗

ESD等級、Latch_up測試評價

凹凸溫機能闡發實驗

集成電路微缺陷闡發

封裝缺陷無損檢測及闡發

電遷徙、熱載流子評價闡發

按照實驗等級分為以下幾類：

1、使用壽命測試項目（Life test items）

EFR：初期掉效等級測試（ Early fail Rate Test ）

目的：評估工藝的不變性，加快缺陷掉效率，去除了因為生成緣故原由掉效的led燈珠 

測試前提：在特按時間內動態晉升溫度以及電壓對于led燈珠舉行測試

掉效機制：質料或者工藝的缺陷，包孕諸如氧化層缺陷，金屬刻鍍，離子玷辱等因為出產釀成的掉效

參考尺度：

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

HTOL/ LTOL：高/低溫操作生命期實驗（High/ Low Temperature Operating Life ）

目的：評估器件在超熱以及超電壓環境下一段時間的經久力

測試前提: 125℃，1.1VCC, 動態測試

掉效機制：電子遷徙，氧化層分裂，彼此小led燈珠散布，不不變性，離子玷辱等

參考數據： 

125℃前提下1000小時測試經由過程IC可以包管連續使用4年，2000小時測試連續使用8年；150℃ 1000小時測試經由過程包管使用8年，2000小時包管使用28年

參考尺度：

MIT-STD-883E Method 1005.8

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

2、情況測試項目（Environmental test items） 

PRE-CON：預處置懲罰測試（ Precondiled燈珠廠家哪家的好tion Test ）

目的：模仿IC在使用以前在必然濕度，溫度前提下存儲的經久力，也就是IC從出產到使用之間存儲的靠得住性

THB：加快式溫濕度及偏壓測試（Temperature Humidity Bias Test ）

目的：評估ICled燈珠在高溫，高濕，偏壓前提下對于濕氣的抵擋能力，加快其掉效進程

測試前提：85℃，85%RH, 1.1 VCC, Static bias

掉效機制：電解腐化 

參考尺度：

JESD22-A101-D

EIAJED- 4701-D122

高加快溫濕度及偏壓測試（HAST: Highly Accelerated Stress Test ）

目的：評估ICled燈珠在偏壓下高溫，高濕，高氣壓前提下對于濕度的抵擋能力，加快其掉效歷程 

測試前提：130℃， 85%RH, 1.1 VCC, Static bias，2.3 atm

掉效機制：電離腐化，封裝密封性 

參考尺度：

JESD22-A110

PCT：高壓蒸煮實驗 Pressure Cook Test (Autoclave Test)

目的：評估ICled燈珠在高溫，高濕，高氣壓前提下對于濕度的抵擋能力，加快其掉效歷程 

測試前提：130℃， 85%RH, Static bias，15PSIG（2 atm） 

掉效機制：化學金屬腐化，封裝密封性 

參考尺度：

JESD22-A102

EIAJED- 4701-B123

*HAST與THB的區分在于溫度更高，而且思量到壓力因素，試驗時間可以縮短，而PCT則不加偏壓，但濕度增年夜。

TCT：凹凸溫輪回實驗（Temperature Cycling Test ）

目的：評估ICled燈珠中具備差別熱膨脹系數的金屬之間的界面的接觸良率。要領是經由過程輪回流動的空氣從高溫到低溫反復變化

測試前提：

Condition B:-55℃ to 125℃

Condition C: -65℃ to 150℃

掉效機制：電介質的斷裂，導體以及絕緣體的斷裂，差別界面的分層 

參考尺度：

MIT-STD-883E Method 1010.7

JESD22-A104-A

EIAJED- 4701-B-131

TST：凹凸溫打擊實驗（Thermal Shock Test ）

目的：評估ICled燈珠中具備差別熱膨脹系數的金屬之間的界面的接觸良率。要領是經由過程輪回流動的液體從高溫到低溫反復變化

測試前提：

Condition B: - 55℃ to 125℃

Condition C: - 65℃ to 150℃

掉效機制：電介質的斷裂，質料的老化（如bond wires）, 導體機械變形 

參考尺度： 

MIT-STD-883E Method 1011.9

JESD22-B106

EIAJED- 4701-B-141

* TCT與TST的區分在于TCT側重于package 的測試，而TST側重于晶園的測試 

HTST：高溫貯存實驗（High Temperature Storage Life Test ）

目的：評估ICled燈珠在現實使用以前在高溫前提下連結幾年不事情前提下的生命時間

測試前提：150℃

掉效機制：化學以及散布效應，Au-Al 共金效應 

參考尺度：

MIT-STD-883E Method 1008.2

JESD22-A103-A

EIAJED- 4701-B111

可焊性實驗（Solderability Test ）

目的：評估IC leads在粘錫歷程中的靠得住度 

測試要領：

Step1：蒸汽老化8 小時 

Step2：浸入245℃錫盆中 5秒 

掉效尺度（Failure Criterion）：至少95％良率 

詳細的測試前提以及估算成果可參考如下尺度 

MIT-STD-883E Method 2003.7

JESD22-B102

SHT Test:焊接熱量經久測試（ Solder Heat Resistivity Test ）

目的：評估IC 對于剎時高溫的敏感度 

測試要領：侵入260℃ 錫盆中10秒 

掉效尺度（Failure Criterion）：按照電測試成果 

詳細的測試前提以及估算成果可參考如下尺度 

MIT-STD-883E Method 2003.7

EIAJED- 4701-B106

3、經久性測試項目（Endurance test items ）

周期經久性測試（Endurance Cycling Test ）

目的：評估非揮發性memory器件在屢次讀寫算后的長期機能 

Test Method：將數據寫入memory的存儲單位，在擦除了數據，反復這個歷程屢次 

測試前提：室溫，或者者更高，每一個數據的讀寫次數到達100k~1000k

參考尺度：

MIT-STD-883E Method 1033

數據連結力測試（Data Retention Test）

目的：在反復讀寫以后加快非揮發性memory器件存儲節點的電荷喪失 

測試前提：在高溫前提下將數據寫入memory存儲單位后，屢次讀取驗證單位中的數據 

掉效機制：150℃ 

參考尺度： 

MIT-STD-883E Method 1008.2

MIT-STD-883E Method 1033