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高光效219nm波長深紫外Lled燈珠的封裝ED燈珠

時間:2020-03-02 22:36 點擊次數:
 

  據悉美國康奈爾年夜學以及諾特丹年夜學的研究職員樂成研發出新一代氮化鎵(GaN)與氮化鋁(AlN)異質布局深紫外LED燈珠,其波長為219nm,而且內量子效率(IQE)高達40%,險些為以前記載的兩倍。

  此技能亮點在于10層的量子點復合布局。研究職員先使用份子束外延(MBE)在30nm的AlN緩沖層上生長量子點布局,整個基板被先加熱到450°C維持兩個小時,然后在730°C的溫度下生長4nm的AlN攔截層,末了在攔截層上面接納層島式生長法(layer-plus-island growth)形成GaN質料的量子點布局。并反復該布局生長10層。(層島式生長法:通常為由兩層布局構成,生長兩層布局以后再將第二層布局萬用表丈量led燈珠優劣分化為島式布局。研究職員在布滿氮氣情況的前提下暫停生長18秒來節制GaN島式布局的形成。)

  在5K溫度的情況下,研究職員經由過程led燈珠收購價格光致發光曲線(PL)不雅察到三種樣品的波長別離為234nm(A)、222nm(B)、219nm(C)。同時,C樣品的219nm波長也是具備最高的光子能量,到達了5.67eV的程度。

  研究職員經由過程仿真發明這類新的限定布局可以有用的按捺量子限定斯塔克效應(QCSE)。量子限定斯塔克效應引起的極化電場其實不會降低電子與空穴的波函數堆疊。從而發光效率仍舊在一個較高的程度。

  研究職員還發明使用GaN量子點布局有用按捺QCSE效應,從而也減小了發光波長。減小GaN量子點的厚度可有用的加強了堆疊度,也按捺了波長小的環境下IQE降低的問題。終極,樣品C的IQE到達了40.2%,其量子點厚度只有0.8個單層厚度(ML)。


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